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Résumé

ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

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Informations générales

  • État actuel
     : Publiée
    Date de publication
     : 2014-09
    Stade
    : Norme internationale confirmée [90.93]
  • Edition
     : 2
  • Comité technique :
    ISO/TC 201/SC 6
    ICS :
    71.040.40 
  • RSS mises à jour

Cycle de vie

Objectifs de développement durable

Cette norme contribue aux Objectifs de développement durable suivants

7
Énergie propre et d'un coût abordable
9
Industrie, innovation et infrastructure

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