Reference number
ISO 23812:2009
International Standard
ISO 23812:2009
Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth calibration for silicon using multiple delta-layer reference materials
Edition 1
2009-04
Preview
ISO 23812:2009
41867
недоступно на русском языке
Опубликовано (Версия 1, 2009)
Последний раз этот публикация был пересмотрен в  2020. Поэтому данная версия остается актуальной.

ISO 23812:2009

ISO 23812:2009
41867
Язык
Формат
CHF 129
Пересчитать швейцарские франки (CHF) в ваша валюта

Тезис

ISO 23812:2009 specifies a procedure for calibrating the depth scale in a shallow region, less than 50 nm deep, in SIMS depth profiling of silicon, using multiple delta-layer reference materials.

It is not applicable to the surface-transient region where the sputtering rate is not in the steady state.

It is applicable to single-crystalline silicon, polycrystalline silicon and amorphous silicon.

Общая информация

  •  : Опубликовано
     : 2009-04
    : Подтверждение действия международного стандарта [90.93]
  •  : 1
  • ISO/TC 201/SC 6
    71.040.40 
  • RSS обновления

Жизненный цикл

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ